简述5件QS1型西林电桥内部的主要元件。

QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（A标准电容器）（） QS1电桥主要包括升压试验设备、QS1电桥桥体及标准电容器三部分。 QS1电桥主要包括三部分（） 试品电容量15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（ ）档位置。 QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（A标准电容器）A标准电容器B标准电感C标准电阻（） 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有（） 测量tgδ常用QS1电桥是按（）刻度的 当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN＝0.01F进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000F（） 在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡（） 采用QS1电桥（西林电桥）测量tanδ，反接线时电桥的三根引线应按试验电压对地绝缘，对接地物体保持一定的绝缘距离，一般不小于（） 使用QS1西林电桥进行介质损耗因数测量时，对任何电压等级的电气设备，试验电压一般取10kV。 现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线（） 现场试验中，使用QS1电桥测tgδ％，适合正接线的设备是（） 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低（） 用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？ 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰（） 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tanδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 采用QS1电桥测量tan6正接线比反接线准确度低（）