分析n沟道2T1C驱动电路的缺点？并解释为什么a-Si：H TFT驱动OLED会有困难？

设随机变量X～t(n)，Y～F(1，n)，给定a(0c^2}= 电容电路中，如若有n个电容并联，则总电容为C=C1+C2+…+Cn（） 电容电路中，如若有n个电容并联，则总电容为C=C1+C2+…+Cn（） C＝n［2n／2 （n-1）］公式中，C为（） CMOS电路是由N沟道的MOS管组成的（） KLC29[2]-1T2型与KLC40C[2]-1T1型空调控制电路有何区别 设有int a=1, b=2, c=3, d=4, m=2, n=2;，执行（（m=a>b） && （n=c>d）后n的值是（）。#includevoid main（）{ int a=1,b=2,c=3,d=4,m=2,n=2; （m=a>b） && （n=c>d）; printf（“m=%d,n=%d”,m,n）;} 电路如图（a)所示，各电路的CP、A、B、C波形如图（b)所示。要求：（1)写出驱动方程和状态方程（2)画出Q1、 在公式C=n[2n-1＋（n-1）]中，n表示（ ） T(n)=1+1/2+1/3…+1/n= Q(lnn) T(n) = T(n-1) + n ，T(1)=1，则 T(n) =（） 已知a=1、b=2、c=3、d=4、m=2、n=2,执行语句“(m=a>b)&&(n=c>d);”后n的值为: 1|2|3|4 构造非齐次方程组,使得其通解为(1,0,0,1)T +c1(1,-1,1,-2)T+c2(2,4,1,-1)T, c1,c2任意。 (1)解释什么是因素分析法。(2)因素分析法的种类有哪些? 图示电路中，已知L1=0.12H，ω=314rad/s，u1（t） =U1mcos（ωt）+U3mcos（3ωt）,u2 （t） =U1mcos（ωt）。 C1和C2的数值分别为下列哪种数值？（） 设集合M＝{0，1，2，3，4)，N＝{1，2，3)，T＝{2，4，6)，则集合(M∩T)∪N＝（　　） 设集合M＝{0，1，2，3，4}，N＝{1，2，3}，T＝{2，4，6}，则集合（M∩T）∪N＝（）。   设有:int a=1,b=2,c=3,d=4,m=2,n=2;执行（m=a>b）&&（n=c>d）后n的值为（） 设有：int a=1，b=2，c=3，d=4，m=2，n=2执行(m=a>b)&&(n=c>d)后n的值是()。 设int a=1,b=2,c=3,d=4,m=2,n=2;执行(m=a>b)&&(n=c>d)后n的值为（ ）