由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。

硅晶体属于什么原子结构？（） 晶体硅太阳能电池 硅晶体中的缺陷主要包括（） 晶体管按材料不同可分为硅晶体管和锗晶体管。 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小（） 常规晶体硅电池转换效率平均每年提升（） 硅晶体管的死区电压约为V（） 下面哪种是硅晶体中的点缺陷（） 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（????? ）。 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。() 晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（  ）的主流材料。 简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。 简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同 关于晶体三极管的漏电流。相同功率的着管漏电流大于硅管。 关于晶体三极管的漏电流。相同功率的着管漏电流大于硅管（） 简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。 简述低温多晶硅薄膜晶体管特点 晶体硅电池组件的主要电气性能有（） 如下电路中的晶体管为硅管, β=100 ,则晶体管的工作状态为( )。