单选题

主电路电流超过()后,晶体三极管V由截止变为导通,使接触器释放,断开主电路

A. 1A左右
B. 2A左右
C. 3A左右
D. 4A左右

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硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小() 晶体三极管组成的反相器,当三极管截止时,输出低电平。() 晶体三极管的电流是由()组成 在晶体三极管放大电路中,晶体三极管最高电位的一端是极() 用直流电压表测量NPN型晶体三极管电路,晶体三极管各电极对地电位是:UB =4.7V,Uc=4.3V,UE = 4V,则该晶体三极管的工作状态是() 晶体三极管组成的放大电路在工作时,测得晶体三极管上各电极对地直流电位为UE=2.1V,UB=2.8V,UC=4.4V,则这晶体三极管已处于() 晶体三极管按工作状态分为、放大状态、饱和导通状态 晶体三极管输出特性的3个区域对应于晶体三极管放大、()和截止3种工作状态。 晶体三极管饱和导通的条件是() 晶体三极管饱和导通的条件是() 晶体三极管饱和导通的条件是() 在NPN型晶体三极管放大电路中,若基极与发射极短路,则晶体三极管()。 在NPN型晶体三极管放大电路中,若基极与发射极短路,则晶体三极管( )。 晶体三极管要处于截止状态必须满足()。 晶体三极管截止的条件是(NPN型)() 晶体三极管要处于截止状态必须满足() 晶体三极管截止的条件是(NPN型)()。 晶体三极管要处于截止状态必须满足( ) 晶体三极管截止的条件是(NPN型)()
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