以下不为影响MOCVD设备形成外延层的晶相、成长速率的因素为（）
A. 温度
B. 压力
C. 大小
D. 衬底表面
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以下不为影响MOCVD设备形成外延层的晶相、成长速率的因素为（）
A.温度 B.压力 C.大小 D.衬底表面
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