在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度基区的（）

三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。 晶体三极管有3个导电区：发射区、基区、集电区。 半导体三极管的发射区、基区和集电区引出相应的发射极、基极和集电极（） 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。 三极管有三个PN结和三个区——发射区、集电区、基区（） 三极管有三个PN结和三个区——发射区、集电区、基区（） 晶体三极管的基极能控制多数载流子流动的作用,基区做得很薄,但掺入的杂质很多。（） 三极管的集电区面积比发射区面积（） 三极管的集电区和发射区可以互换（） 晶体三极管有3个导电区，其中基区与发射区之间的PN结被称为（）。 半导体三极管的三个极是发射区（e）、基极（）、集电极（） 三极管的三个区分别是基电区、发射区和集区。 （ ） 半导体三极管的三个极是发射区（e）、基极（）、集电极（c）。 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。 当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流IS将增大,这是因为此时PN结内部的: 多数载流子浓度减小；多数载流子浓度降低|多数载流子浓度增大；多数载流子浓度增加|少数载流子浓度减小；少数载流子浓度降低|少数载流子浓度增大；少数载流子浓度增加 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。 晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流（） NPN型晶体三极管的发射区和集电区都是N型半导体,所以,它的发射区和集电区可以互换。（） 三极管工作时，发射极发射载流子，（）输送和控制载流子，（）是收集载流子。 三极管工作时，发射极发射载流子，（）输送和控制载流子，（）是收集载流子