多选题

关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。

A. 绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加
B. 绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大
C. 发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高
D. 绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降

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多选题
关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。
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答案
判断题
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答案
多选题
关于电流互感器电容量和介质损耗因数的表述正确的是()。
A.电容量初值差不应超过±3% B.末屏介质损耗因数要求小于0.015 C.测量值异常,可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线 D.220kV电流互感器介损值应小于0.006
答案
多选题
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A.电容量初值差不应超过±3% B.末屏介质损耗因数要求小于0.015 C.测量值异常,可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线 D.220kV电流互感器介损值应小于0
答案
多选题
电流互感器出厂验收标准卡中,电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为()。
A.对于油浸式电流互感器,参照GB20840.2-2014中表209的要求,分电容型和非电容型进行考核 B.对于35kV以上电压等级的合成薄膜式的电流互感器,10kV~Um√3电压下介质损耗因数tanδ小于等于0.25% C.对于Um≥252kV的油浸式电流互感器,在0.5Um/√3~Um/√3的测量电压下,介质损耗因数(tanδ)测量值的增值不应大于0.001 D.对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏(末屏),在测量电压为3kV下的介质损耗因数(tanδ)允许值不应大于0.02
答案
多选题
电流互感器出厂验收标准卡中,电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为()
A.对于油浸式电流互感器,参照GB20840.2-2014中表209的要求,分电容型和非电容型进行考核 B.对于35kV以上电压等级的合成薄膜式的电流互感器,10kV~Um3电压下介质损耗因数tan小于等于0.25% C.对于Um≥252kV的油浸式电流互感器,在0.5Um/3~Um/3的测量电压下,介质损耗因数(tan)测量值的增值不应大于0.001 D.对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏(末屏),在测量电压为3kV下的介质损耗因数(tan)允许值不应大于0
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多选题
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答案
主观题
测量电容型电流互感器一次对末屏的介质损耗因数时,为什么还要注意其电容量CX
答案
多选题
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答案
单选题
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答案
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