单结晶闸管的发射极电压高于峰点电压时，晶体管导通（）

当单结晶体管的发射电压高于峰点电压时，就导通（） 当单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，单结晶体管关断（） 当单结晶体管的发射极电压上升到__电压时就导通；当发射极电压下降到低于__电压时就截止 当单结晶体管的发射极电压Ue升高到时,就会导通（） 单结晶体管导通后，当发射极电压下降到时，变为截止（） 当单结晶体管发射极电压低于（ ）电压，单结晶体管截止。 当单结晶体管的发射级电压高于电压，就导通（） 当单结晶体管的发射极电压低于()电压时就截止。 当单结晶体管的发射极电压下降到（）电压时，就截止。 单结晶体管导通后，其发射极电流小于谷点电流时，就会恢复截止。 单结晶体管震荡电路是利用单结晶管发射极特性中的（） 晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。 晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小（） 晶体管非门电路如图所示，已知要使晶体管饱和导通，的值不得大于（）。（，集电极和发射极之间的饱和电压） 晶体管非门电路如图所示，已知β=40,当输入电压要使晶体管饱和导通，0. 7V，集电极和发射极之间的饱和电压（） 单结晶体管的图形符号中有（）发射极。 晶体管非门电路如图所示，已知，β=40，当输入电压时，要使晶体管饱和导通，Rx的值不得大于（）。（设0.7V，集电极和发射极之间的饱和电压） 晶体管非门电路如图所示，已知警输入电压=5V时，要使晶体管饱和导通，的值不得大于多少？（设，集电极和发射极之间的饱和电压）（） 单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。 峰点电流是维持单结晶体管导通的最小电流（）