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半导体三极管能够放大的外部条件是发射结正偏,集电结反偏()

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三极管的发射结正偏、集电结正偏时,三极管处于放大状态() 三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于( )。 三极管处于放大工作状态时,发射结正偏,集电结反偏() 当发射结和集电结都反偏时,则半导体三极管处于 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏,集电结反偏。 出头教育: 对于半导体三极管,测得其发射结、集电结均正偏,此时该三极管处于( ) 当三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于状态() 三极管的截止条件:发射结反偏、集电结反偏() 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结正偏。 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结正偏() 三极管的发射结正偏,集电结反偏的区域为( )。 当三极管的发射结正偏,集电结正偏时,三极管处于 当三极管的集电结处于正偏,发射结处于反偏时,三极管处于状态 三极管发射结零偏或反偏,集电结反偏,该三极管处于()。 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结()。 三极管处于截止工作状态时,发射结正偏,集电结反偏() 三极管处于饱和工作状态时,发射结正偏,集电结反偏() 三极管工作在放大状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏 放大电路中三极管工作在放大状态时,集电结正偏,发射结反偏() 晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,工作在
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