小电流硅二极管的死区电压约为0.5V，正想压约为（）

硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 硅材料二极管的死区电压为（） 普通硅二极管的死区电压为()。   硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管的死区电压一般为0.2V（） 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 硅半导体二极管的死区电压约为（）。 单40、硅二极管的死区电压为（） 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。 绪二极管导通时的管压降约V（） 锗材料二极管的死区电压为（）V。 二极管的死区电压为0.5V（） 锗材料二极管的死区电压为（）V 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。 晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）