光开关的是两个端口处于导通和非导通状态的插入损耗之差（）

MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。 IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。 光分路器的插入损耗怎样计算？ 光分路器的插入损耗怎样计算 当晶闸管导通后，可依靠管子本身的（）作用，以维持其导通状态。 三相桥式半控整流电路中，任何时刻都至少有两个二极管处于导通状态（） 单模光纤连接器的插入损耗一般为两个规格（） 占空比是开关的导通时间与开关周期之比。 在三相桥式半控整流电路中，任何时刻都至少有两个二极管是处于导通状态（） 晶体管只有两种工作状态，即饱和导通状态和截止关闭状态（） 晶体管只有两种工作状态，即饱和导通状态和截止关闭状态（） 晶体管只有两种工作状态，即饱和导通状态和截止关闭状态。 （）晶闸管一旦导通后，即使撤除门极电压，晶闸管仍能保持导通状态.。 晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性（）。 二极管的导通状态就相当于开关的接通状态（） 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于ATB模式下，应测量P1.1至P1.10及P1.10至P1.28间的导通情况,正常时此两组端子间应导通，且模式开关1对应的ATP、RM、iATP及ATO模式相应端子间应非导通（） 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于RM模式下，应测量P1.1至P1.8及P1.8至P1.26间的导通情况，正常时此两组端子间应导通，且模式开关1对应的ATP、ATO、iATP及ATB模式相应端子间应非导通（） 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于ATO模式下，应测量P1.1至P1.6及P1.6至P1.24间的导通情况，正常时此两组端子间应导通，且模式开关1对应的ATP、RM、iATP及ATB模式相应端子间应非导通（） 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于ATP模式下，应测量P1.1至P1.7及P1.7至P1.25间的导通情况,正常时此两组端子间应导通，且模式开关1对应的ATP、RM、iATO及ATB模式相应端子间应非导通（） 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于iATP模式下，应测量P1.1至P1.9及P1.9至P1.27间的导通情况，正常时此两组端子间应导通，且模式开关1对应的ATP、RM、ATO及ATB模式相应端子间应非导通（）