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tanδ升高表明该耦合电容器的绝缘性能()
单选题
tanδ升高表明该耦合电容器的绝缘性能()
A. 升高
B. 降低
C. 没影响
D. 不确定
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单选题
tanδ升高表明该耦合电容器的绝缘性能()
A.升高 B.降低 C.没影响 D.不确定
答案
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电容器外绝缘涂PRTV是为了提高外绝缘性能()
答案
判断题
对500kV的耦合电容器,当对其绝缘性能或密封有怀疑又有试验设备时,可进行局部放电试验。多节组合的耦合电容器禁止分节试验()
答案
单选题
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A.20 B.50 C.80 D.100
答案
判断题
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答案
单选题
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A.正接线和对角接线 B.反接线和正接线 C.正接线和反接线 D.均采用正接线
答案
判断题
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答案
单选题
耦合电容器低压端对地绝缘电阻应()。
A.≥100MΩ B.≥500MΩ C.≥1000MΩ D.≥2000MΩ
答案
单选题
耦合电容器低压端对地绝缘电阻应()
A.≥100M B.≥500M C.≥1000M D.≥2000M
答案
多选题
以下关于耦合电容器介质损耗因数tanδ测试说法正确的是()
A.采用油纸绝缘结构的耦合电容器在10kV试验电压下tanδ≦0.5%。 B.采用膜纸绝缘结构的耦合电容器在10kV试验电压下tanδ≦0.4%。 C.当tanδ不符合要求时,应综合分析tanδ与电压得关系,并查明原因。 D.110kV及以下电压等级预试周期为6年
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