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3DG6D型晶体三极管的PCM=100mw,ICM=20mA,UBR(CE0)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()。
单选题
3DG6D型晶体三极管的PCM=100mw,ICM=20mA,UBR(CE0)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()。
A. 被击穿
B. 工作正常
C. 功耗太大过热,甚至烧坏
D. 不确定
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3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,UBR(CEO)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()
A.击穿 B.工作正常 C.功耗太大过热,甚至烧坏 D.不确定
答案
单选题
3DG6D型晶体三极管的PCM=100mw,ICM=20mA,UBR(CE0)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()。
A.被击穿 B.工作正常 C.功耗太大过热,甚至烧坏 D.不确定
答案
单选题
3DG6D型晶体三极管的PCM=100mw,ICM=20mA,UBR(CE0)=30V,如果将它接在IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管()
A.工作正常 B.被击穿 C.不确定 D.功耗太大过热,甚至烧坏
答案
单选题
3AG和3DG系列的晶体三极管为()晶体三极管
A.低频小功率 B.低频大功率 C.高频小功率 D.高频大功率
答案
单选题
3DG6D型晶体三极管的Pcra=100mW,,c。=20mA,u。。。=30V,如果将它接在,c=15mA,u。=20V的电路中,则该管()
A.被击穿 B.工作正常 C.功率太大,过热甚至烧坏 D.放大倍数下降
答案
判断题
三极管3DG6中D指该三极管为PNP型硅材料三极管。
答案
主观题
PNP型晶体三极管就是锗半导体三极管。()
答案
主观题
NPN型晶体三极管就是硅半导体三极管。()
答案
单选题
三极管3DG6是()三极管。
A.PNP型锗 B.NPN型锗 C.PNP型硅 D.NPN型硅
答案
主观题
在NPN型晶体三极管
答案
热门试题
在NPN型晶体三极管放大电路中,若基极与发射极短路,则晶体三极管()。
在NPN型晶体三极管放大电路中,若基极与发射极短路,则晶体三极管( )。
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小()
晶体三极管输出特性的3个区域对应于晶体三极管放大、()和截止3种工作状态。
三极管的型号为3DG6,它是()三极管。
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晶体三极管是
晶体三极管具有()
晶体三极管发射结反偏置、集电结反偏置,晶体三极管处于工作状态()
在晶体三极管放大电路中,晶体三极管最高电位的一端是极()
晶体三极管是()器件
晶体三极管是()器件。
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在晶体三极管放大电路中,晶体三极管最高电位的一端应该是PNP型的基极()
晶体三极管3AX中X表示()。
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