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焦饼中心温度一般控制在()。
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焦饼中心温度一般控制在()。
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主观题
焦饼中心温度一般控制在()。
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焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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焦饼中心温度一般控制在1100±50℃()
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焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。
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单选题
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟
A.800±50℃ B.900±50℃ C.1000±50℃ D.1100±50℃
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评价焦饼成熟用焦饼中心温度是出于该处焦饼()
A.便于插焦饼操作 B.最先成熟、温度均匀 C.最后成熟、温度最低 D.温度均匀、具有代表性
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单选题
评价焦饼成熟用焦饼中心温度是由于该处焦饼()
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用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为()mm。
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成熟焦饼的中心温度应为()左右
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用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时,管端距炭化室底部约为600mm()
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