单选题

(2016•全国卷Ⅲ)因为HF与SiO2反应,故用氢氟酸在玻璃器皿上刻蚀标记()

A. 正确
B. 错误

查看答案
该试题由用户590****50提供 查看答案人数:8906 如遇到问题请 联系客服
正确答案
该试题由用户590****50提供 查看答案人数:8907 如遇到问题请联系客服

相关试题

换一换
热门试题
炼钢中[Si]+[O2]=(SiO2)是放热反应() 炼钢中,Si+O2=SiO2是吸热反应() 焦炉用的硅砖是指SiO2含量≥() 下面哪些说法是正确的()⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低 用SiO2制取硅酸时,将SiO2溶解在水中一段时间后可得到硅酸() 用CaO脱硫过程中,铁水中的硅会被氧化成SiO2,SiO2和CaO反应相应的降低了CaO的脱硫效果,因此,用CaO脱硫最好能在惰性气体或还原气氛下进行() 用氟硅酸钾测定SiO2的注意事项? 简述用氟硅酸钾容量法测定SiO2原理? 高炉用硅石SiO2含量(),粒度上限不超过() 天然硅砂常混有长石与云母等杂质,故SiO2含量一般低于人工硅砂() 下列5个转化,其中不能通过一步反应实现的是()①SiO2 → Na2SiO3; ② CuSO4 → CuCl2; ③ SiO2 → H2SiO3; ④ CuO → Cu(OH)2 ;⑤Na2O2→Na2SO4 CAO/SiO2表示碱度() (题文)典例(2016·课标全国卷Ⅰ)下列各句中,没有语病的一句是 中国大学MOOC: 下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的()。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2,衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2,温度低 铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的。 铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的() 岩浆的粘度取决于SiO2的含量,SiO2的含量越高,粘度越大,越不易流动。() 游离SiO2指结晶型的SiO2(即石英),测定方法有焦磷酸法、()、X射线衍射法. 因为SiO2是石头的主要成分,强度很高,所以混凝土中含有SiO2越多越好() The surface chemistry of aggregate can be divided by the content of SiO2. The basic aggregate has SiO2()
购买搜题卡 会员须知 | 联系客服
会员须知 | 联系客服
关注公众号,回复验证码
享30次免费查看答案
微信扫码关注 立即领取
恭喜获得奖励,快去免费查看答案吧~
去查看答案
全站题库适用,可用于E考试网网站及系列App

    只用于搜题看答案,不支持试卷、题库练习 ,下载APP还可体验拍照搜题和语音搜索

    支付方式

     

     

     
    首次登录享
    免费查看答案20
    微信扫码登录 账号登录 短信登录
    使用微信扫一扫登录
    登录成功
    首次登录已为您完成账号注册,
    可在【个人中心】修改密码或在登录时选择忘记密码
    账号登录默认密码:手机号后六位