霍尔电压的大小与霍尔材料的厚度成反比，因此，薄型的霍尔器件输出电压较片状要高得的多

霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比（） 霍尔电压与通过霍尔元件的电流强度（） 霍尔灵敏度不仅反映材料霍尔效应强度，还反映了材料形状对霍尔电压灵敏度的影响（） 霍尔信号发生器是当霍尔元件时产生霍尔电压（） 霍尔电压与通过霍尔元件的磁感应强度（） 霍尔效应实验在测量霍尔电压时，会有哪些负效应叠加在霍尔电压上（） 霍尔元件产生的霍尔电压为（）级 霍尔元件产生的霍尔电压为（）级 霍尔元件产生的霍尔电压为（）级 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（） 霍尔电压与通过霍尔元件的磁感应强度成正比（） 霍尔效应中，霍尔电势与() 霍尔元件产生的霍尔电势 的大小与以下哪一项无关( ) 霍尔式信号发生器中，当叶片气隙时，霍尔元件产生霍尔电压（） 改变霍尔元件在磁场中的位置，霍尔电压不变（） 霍尔电压UH与（）成正比。 霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电势变化，产生温度误差（） 霍尔电压UH与ISB的乘积成正比，与样品的厚度d成正比 霍尔电势的大小正比于（）和（）。对霍尔元件可采用（）驱动和（）驱动 霍尔元件多采用P型半导体材料（）