单选题

半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()

A. 多子---少子---少子;
B. 少子---多子---多子;
C. 多子---多子---多子
D. 少子---少子---少子。

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单选题
半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()
A.多子---少子---少子; B.少子---多子---多子; C.多子---多子---多子 D.少子---少子---少子。
答案
判断题
半导体的导电能力随温度,掺杂或受光照射而发生变化()
答案
单选题
受光照的半导体材料的电导率发生变化或产生光电动势的效应称为外光电效应。()
A.错误 B.正确
答案
主观题
半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为
答案
判断题
轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低()
答案
单选题
同一导体,当温度发生变化时,其()也要发生变化。
A.电感值 B.电阻值 C.阻抗值 D.电流值
答案
判断题
半导体材料的载流子浓度与温度有关。
答案
主观题
所谓的电阻应变效应,就是导体或半导体在受到外力的作用下,会产生(),从而导致其()发生变化的现象
答案
主观题
半导体气体传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应,导致敏感元件的( )发生变化,进而根据改变的大小来反应气体浓度的。
答案
多选题
杂质半导体中多数载流子浓度取决于(),少数载流子浓度取于()
A.反向电压的大小 B.掺入杂质的浓度 C.制作时间 D.环境温度
答案
热门试题
在外电场的作用下半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 在外电场作用下,半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。 半导体受光照,导电性能()。 中国大学MOOC: 对均匀半导体施加均匀电场,并在表面光注入非平衡载流子,此时半导体中的载流子运动不包括: 一种材料中载流子的浓度很低,在外电场的作用下一般看不到宏观的载流子长程定向迁移,但会沿电场方向产生电偶极矩或发生原来电偶极矩在外电场作用下改变,称为极化,这是的特征() 导体或半导体材料在外界力的作用下,会产生机械变形,其电流也将随着发生变化,这种现象称为应变效应() 在同一半导体上,当外部条件发生变化时,其导电性能也将随着起变化() 判31、在外电场的作用下半导体中同时出现电子电流和空穴电流() N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。 N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场() 只要系统状态发生变化,系统就要作功。 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于() 杂质半导体中,多数载流子浓度主要取决于 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。() N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场() 当半导体材料受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,因而材料电导率增大,这种现象称为() P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子() 半导体压敏电阻式增压压力传感器在()作用下,膜片会产生应力,应变电阻的阻值会发生变化
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