若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()

半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法。 半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法（） 半导体材料中存在3个能量区域,分别是()。 绝大多数的高电阻率半导体，受光照射吸收光子能量后，产生电阻率降低而易于导电的现象称为（） X或γ光子的能量全部被轨道电子吸收，这种效应称之为 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度（） 在10～100keV光子能量范围内，光子能量在10keV时光电吸收为95％以上，康普顿吸收为5％。光子能量为100keV时，康普顿吸收占95％以上。 若半导体中的自由电子远比空穴的数目小,则这种半导体称为半导体（） 在10～100keV光子能量范围内，光子能量在10keV时光电吸收为95%以上，康普顿吸收为5%。光子能量为100keV时，康普顿吸收占95%以上。下列叙述正确的是（） 在10~1OOkeV光子能量范围内，光子能量在10keV时光电吸收为95%以上，康普顿吸收为5%。光子能量为1OOkeV时，康普顿吸收占95%以上。下列叙述正确的是（） “光电效应”的光子能量按（）形式被吸收。 当入射X射线光子和原子内一个轨道电子发生相互作用时，光子损失一部分能量，并改变运动方向，电子获得能量而脱离原子，这个过程称为康普顿效应。损失能量后的X射线光子称为散射光子，获得能量的电子称为反冲电子。入射光子被散射时波长的改变，错误的是（） 电子能级间隔越小，电子跃迁时吸收光子的 电子能级间隔越小，电子跃迁时吸收光子的（） 电子能级间隔越小，电子跃迁时吸收光子的（） 在10keY～100keV光子能量范围内，光子能量在10keV时光电吸收为95%以上，康普顿吸收为5%。光子能量为100keV时，康普顿吸收占95%以上。下列叙述正确的是（）. 光子和原子中的1个电子发生弹性碰撞，光子本身能量减少，改变运动方向，称为（） 发生电子对效应的光子能量范围为（） 单选当入射X射线光子和原子内一个轨道电子发生相互作用时，光子损失一部分能量，并改变运动方向，电子获得能量而脱离原子，这个过程称为康普顿效应。损失能量后的X射线光子称为散射光子，获得能量的电子称为反冲电子。入射光子被散射时波长的改变，错误的是（） 一能量为300千电子伏的光子进入原子中，使一轨道电子脱离50千电子伏的结合能后，又给这个电子50千电子伏的能量使其飞出轨道，则新的光子能量是200千电子伏。