锗晶体管的导通压降约|UBE|为( )

温度升高,晶体管的管压降会: 绪二极管导通时的管压降约V（） 要使绝缘栅双极晶体管导通，应()。 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。（） 晶体管调节器中晶体管T1是小功率管，用来导通控制信号的（） 要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。 中国大学MOOC: NPN型晶体管饱和导通后，晶体管的输出电压等于（ ）。 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（　　）。 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点 单结晶体管的IP是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的电流（） 晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。 方波输出变频器中每个晶体管导通180o，在每一60o区间有三个晶体管导通，每隔60o更换一个晶体管，这样，在任一个60o区间都有三个晶体管导通，接通三相负载。变频原理简单，但输出为()电压。 峰点电流是维持单结晶体管导通的最小电流（） 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制。 晶闸管导通时的管压降约为V（） 当单结晶体管的发射级电压高于电压，就导通（） 单结晶体管当发射极与基极b;之间的电压超过峰点电压U，时，单结晶体管导通（） 管压降是指二级管导通时的（） 二极（硅）管的导通压降约为（）