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中国大学MOOC: 解决沟道效应的方法有
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中国大学MOOC: 解决沟道效应的方法有
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中国大学MOOC: 解决沟道效应的方法有
答案
主观题
中国大学MOOC: 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有()。
答案
主观题
什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?
答案
单选题
以下哪些为MOS管相关的二阶效应:①短沟道效应;②窄沟道效应;③漏致势垒降低效应;④闭锁效应;⑤热载流子效应()
A.①②③④⑤⑥ B.①②③④⑤ C.①③④⑤⑥ D.①②③⑤⑥
答案
判断题
中国大学MOOC: 结型场效应管初始时存在导电沟道。
答案
主观题
中国大学MOOC: 解决内生性问题的方法有( )
答案
判断题
中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞,而是沿晶格间隙“长驱直入”,进入硅片内部相当深的地方。
答案
主观题
中国大学MOOC: 增加禀赋效应的方法不包括
答案
判断题
中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。
答案
主观题
中国大学MOOC: 减轻多径效应的有效方法是()。
答案
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