下列有关抑制性突触后电位的描述，正确的有（）
A. 突触后膜产生超极化
B. 突触前膜释放抑制性递质
C. 突触前膜释放兴奋性递质减少
D. 有总和现象
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下列有关抑制性突触后电位的描述，正确的有（）
A.突触后膜产生超极化 B.突触前膜释放抑制性递质 C.突触前膜释放兴奋性递质减少 D.有总和现象
答案
下列对抑制性突触后电位描述中正确的是下列对抑制性突触后电位描述中正确的是（）
A.是去极化的局部电位 B.具有全或无性质 C.是超极化局部电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜Na+通透性增加所致
答案
下列有关兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的论述，正确的是（）
A.两者均是局部电位 B.突触前膜均是去极化 C.突触前膜释放的递质性质一样 D.突触后膜具有不同的离子通道
答案
抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜Na+通透性增加所致
答案
抑制性突触后电位
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na D.是一种去极化抑制的突触后电位
答案
抑制性突触后电位
A.由突触前末梢递质释放减少而引起； B.使突触后膜电位远离阈电位水平； E.是一种去极化抑制的突触后电位；
答案
抑制性突触后电位（）
A.由突触前末梢递质释放减少而产生 B.使突触后膜电位远离阈电位水平 C.由突触后膜Na+电导增加而产生 D.由突触后膜Ca2+电导增加而产生 E.是一种去极化抑制的突触后电位
答案
抑制性突触后电位（ ）
A.是局部去极化电位 B.具有全或无性质 C.是局部超极化电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致 E.是突触后膜通透性增加所致
答案
抑制性突触后电位
A.是去极化局部电位 B.有“全或无”性质 C.是超极化局部电位 D.是突触前膜递质释放量减少所致
答案
抑制性突触后电位
A.具有“全或无”性质 B.是超极化电位 C.是兴奋性递质释放减少所致 D.有总和现象 E.突触后膜主要对C1-通透性增加所致
答案
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抑制性突触后电位（ ）。
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关于抑制性突触后电位性质和机制的正确描述是（ ）。
抑制性突触后电位是（ ）。
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抑制性突触后电位是（）
抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关（）
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下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
下列关于抑制性突触后电位的叙述（）
与形成抑制性突触后电位有关的离子是
关于抑制性突触后电位，以下正确的是
突触后膜出现（）极化，称为抑制性突触后电位。
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