温度升高时，杂质半导体中的多子浓度明显增加。()

p型半导体中本征载流子浓度随着温度的升高而（） 在杂质半导体中，温度变化时 N型半导体中多子是（ ） 纯净半导体的温度升高时，半导体的导电性减弱（） 纯净半导体的温度升高时，半导体的导电性增强。 在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。（? ? ? ） N型半导体中的多子是()。 在N型半导体中（）为多子 中国大学MOOC: 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于温度。 杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（） 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关 当温度升高时，半导体电阻将增大（） 当温度升高时，半导体的电阻将（）。 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等（） 在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（） 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( )