IGBT是一种电压控制型器件。()

MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件（） IGBT是电流控制型电力电子器件（） 绝缘栅双极晶体管IGbT是一种复合型器件，它是由复合而成的（） 场效应晶体管是一种电压控制的半导体器件，是单极型半导体器件。 三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件 绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（） IGBT是哪一种控制方式。（） 功率MOSFET是一种单极型的电流控制器件（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT，将MOSFET与的优点集于一身，是一种复合型电力半导体器件（） 晶体三极管是一种（）控制型器件。 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) 下列关于IGBT与电力MOSFET说法正确的是: IGBT具有擎住效应|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT是电压驱动型器件|电力MOSFET存在二次击穿问题 IGBT器件是一种复合器件，它兼有功率MOSFET和双极型器件的开关速度快、安全工作区宽、驱动功率小、耐压高、载流能力大等优点（） IGBT 是哪两种器件的复合。 电力电子器件按控制信号的性质不同可分为:____、电压控制型器件两种 交流接触器就是用小电流低电压控制大电流高电压的一种器件（） IGBT是一种三端功率半导体器件，其显著的特色是电流容量高，开关速度快。 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。 IGBT由两种器件复合而成 ()是电压控制型电力电子器件。