单选题

当厚度为2R的无限大平板、半径为R的无限长圆柱和球体条件下,加热或冷却到指定温度所需的时间()

A. 球体为最短,圆柱次之
B. 平板最短,圆柱最长
C. 球体最短,平板最长
D. 圆柱最短,球体次之

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单选题
当厚度为2R的无限大平板、半径为R的无限长圆柱和球体条件下,加热或冷却到指定温度所需的时间()
A.球体为最短,圆柱次之 B.平板最短,圆柱最长 C.球体最短,平板最长 D.圆柱最短,球体次之
答案
单选题
已知半径为R的无限长圆柱体内均匀分布体电荷ρ,介电常数为ε,圆柱内外的电场强度与距离圆柱轴心的径向距离有何关系()
A.柱内外电场强度均随距离增大而减小 B.柱内外电场强度均随距离增大而增大 C.柱内电场强度随距离增大而增大,柱外电场强度随距离增大而减小 D.柱内电场强度随距离增大而减小,柱外电场强度随距离增大而增大
答案
单选题
根据安培环路定律,半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出( )。
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同 B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度 C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度 D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
答案
单选题
应用安培环路定律,半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出()
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同 B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度 C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度 D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
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单选题
应用安培环路定律φHdl=∑I,对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知()
A.在其外部,即ru003eR处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同 B.ru003eR处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度 C.ru003eR处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度 D.在其内部,即r
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单选题
应用安培环路定律φHdl=∑I,对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知()
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同 B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度 C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度 D.在其内部,即r
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单选题
应用安培环路定律∮LHdL=∑I,半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出()。
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同 B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度 C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度 D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
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单选题
底面半径为r,高为h的圆柱体表面积记为S1;半径为R的球体表面积记为S2.则S1≤S2.(1)R≥(r+h)/2;(2)R≤(2h+r)/3
A.条件(1)充分,但条件(2)不充分; B.条件(2)充分,但条件(1)不充分; C.条件(1)和条件(2)单独都不充分,但条件(1)和条件(2)联合起来充分; D.条件(1)充分,条件(2)也充分; E.条件(1)和条件(2)单独都不充分,条件(1)和条件(9)联合起来也不充分
答案
主观题
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答案
单选题
某厚度为50mm的无限大平壁,其稳态温度场为t=200-2000x2 ,那么平壁内有:()
A.负的非均布内热源 B.正的非均布内热源 C.负的均布内热源 D.正的均布内热源
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