单选题

N沟道的绝缘栅型场效应管用()表示。

A. PMOS
B. MOS
C. NMOS
D. CMOS

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耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。( ) 绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同,可分为__和__两种类型 从结构上区分,场效应晶体管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种() 结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式() 结型场效应管利用栅-源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。 结型场效应管利用栅源极间所加的_____来改变导电沟道的电阻 场效应管按其结构不同可分为结型与绝缘栅型场效应管,但它们均有三个电极() 对于绝缘栅场效应管,无论增强型还是耗尽型,只要是N沟道器件,UDS应为负值,衬底接最低电位,UGS越向正值方向增大,硒越小 N沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应大于夹断断电压小于零() N型沟道增强型场效应管只有当VGS>VT时才开始导电() 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中,正确的是 绝缘栅型场效应管通常称为()、存放时应将三个电极() 在绝缘栅型场效应管中,漏极电流是受栅压控制的,它是利用() N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子,少子为空穴() 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置 绝缘栅型场效应管从导电载流子的带电极性来看,可分为() 沟道结型场效应管的夹断电压Vp为 ( ) 绝缘栅型场效应管放大器的输入电阻比结型场效应管和三级管所构成放大器输入电阻大() P沟道结型场效应管的夹断电压Up为
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