内部RAM的位寻址区，只能供位寻址使用，而不能供字节寻址使用（）

片内RAM低128单元，按其用途划分为（）、位寻址区和用户RAM区3个区域。 片内RAM的20H～2FH为位寻址区，所包含的位地址是( )。 位寻址区共有16个字节，且每个字节中的每一位有位地址，共有128个位地址。() MCS-51单片机的位寻址区位于内部RAM的单元地址为(  )。   AT89C51单片机中既可位寻址又可字节寻址的单元是 80C51单片机中既可位寻址又可字节寻址的单元是()。   单片机中片内RAM可以位寻址的位超过128个（） MCS-51单片机的内部RAM地址中，下列可位寻址的地址是(  )。   TMOD用于 , 位寻址;TCON用于 , 位寻址 32位微型机的可寻址空间为()字节。 段定义伪操作中，使用类型(usetype)说明使用16位寻址方式还是32位寻址方式。() 访问内部RAM单元可以采用立即寻址。() 串行口控制寄存器SCON，字节地址98H,不能进行位寻址（） TCON是一个既可以位寻址又可以字节寻址的特殊功能寄存器 8086是（）位系统，其寻址能力为（），24位系统的寻址能力为（），32位系统的寻址能力为（）。 当使用字节地址寻址时，16位的存储单元占一个字节地址。() 位寻址的格式由存储器标识符、字节地址及位号组成（） 中国大学MOOC: 51单片机片内RAM的20H~2FH为位寻址区，位地址范围为： MCS-51单片机中可位寻址RAM的单元地址为()。   为构成4096×8 位的RAM,需要 片 1024×1 的RAM,并且需要 位地址译码以完成寻址操作,即需增加 位地址输入端