本征半导体的载流子包括自由电子和空穴σ=n︱e︱μe+P︱e︱μh（）

P型半导体载流子中,自由电子的数目()空穴数目,空穴成为多数载流子(多子),该半导体以空穴导电为主 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（） N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。 P型型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（） 本征半导体的载流子为电子和空穴。（ ） P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度（） 本征半导体温度升高后，自由电子数目和空穴数目增多（） 当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（ ） 本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（） 当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） P型半导体中，自由电子为多数载流子，而N型半导体中，空穴为多数载流子（） 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（） N 型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。_ 半导体有带负电的自由电子和带正电的空穴两种载流子（） 本征半导体中的自由电子与空穴总是成对产生、成对消失（） 在本征半导体中，自由电子和空穴是独自产生的，互相无关联（） 半导体金属都有自由电子空穴（） 半导体的自由电子和空穴数目相等，这样的半导体叫做（）。 半导体的自由电子和空穴数目相等，这样的半导体叫做（）