相关试题
换一换
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A.分凝 B.蒸发 C.坩埚污染 D.损坏
答案
单晶硅的制备方法主要包括（）
A.直拉法（CZ）法 B.辅助（AD）法 C.磁控直拉法（MCZ）法 D.悬浮区熔法（FZ）法
答案
直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？（）①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶
A.①② B.①②③④ C.②③④ D.③④
答案
坩埚的污染（引入P型杂质）会使N型单晶尾部的电阻率，使P型单晶尾部电阻率。（）
A.增高减小 B.减小增高 C.减小减小 D.增高增高
答案
单晶硅与多晶硅的根本区别是（）
A.纯度 B.原子排列方式 C.导电能力 D.原子结构
答案
单晶硅太阳电池效率可达( )。
A.6.3％ B.9％ C.14％ D.18％
答案
单晶硅太阳电池效率可达（）。
A.6 B.9% C.14% D.18%
答案
单晶硅的光电转换效率实验室已高达24.2%，工厂规模化生产的单晶硅电池其效率也在12%以上。（ ）
答案
材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体。（）
答案
材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体（）
答案
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