在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。

与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大 在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子 P型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子（） N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子（） 少数载流子在电场力作用下的运动，称漂移运动（） 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（） N型半导体以（）导电为主，也称为（）型半导体，其中（）为多数载流子，（）为少数载流子； P型半导体以（）导电为主，也称为（ ）型半导体，其中（）为多数载流子，（）为少数载流子。 杂质半导体中多数载流子浓度取决于（），少数载流子浓度取于（） PN结是多数载流子的运动而形成的（） 多数载流子由于浓度差而引起的运动，称扩散运动（） P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 N 型半导体又称____型半导体,其中的多数载流子是____,少数载流子是____,还有不能移动的____ P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子（） 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，故N型半导体带负电（） LED即我们所说的发光二极管，在PN结注入载流子，少数载流子与多数载流子复合后，释放出能量，表现以（）的形式，从而实现电致发光。 在N型半导体中，多数载流子是 ，在P型半导体中，多数载流子是 。 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。 P型半导体是在锗硅四价元素中渗入三价元素，它的多数载流子是（），少数载流子是（）。 N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 二极管的正向电流是由()载流子的扩散运动形成的;反向电流是由少数载流子的()运动形成的。