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刷新周期是2ms 。下列关于动态存储器的描述中正确的
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刷新周期是2ms 。下列关于动态存储器的描述中正确的
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主观题
刷新周期是2ms 。下列关于动态存储器的描述中正确的
答案
判断题
DRAM刷新周期指的是从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止的时间间隔
答案
判断题
静态存储器和动态存储器都需要定期刷新()
答案
主观题
动态存储器刷新的三种方式是( )。
答案
单选题
在刷新周期指标方面_DRAM芯片的刷新周期越_其性能越好。;()
A.长; B.短;
答案
单选题
动态存储器刷新时只需要提供()地址。
A.行地址 B.列地址 C.行 D.以上都不对
答案
单选题
动态存储器刷新时只需要提供()地址
A.行地址 B.列地址 C.行、列地址 D.以上都不对
答案
多选题
动态存储器,DRAM的三种刷新方式是()。
A.集中刷新 B.分散刷新 C.同步刷新 D.异步式刷新
答案
单选题
下列关于存储器的叙述中正确的是
A.CPU能直接访问存储在内存中的数据,也能直接访问存储在外存中的数据 B.CPU不能直接访问存储在内存中的数据,能直接访问存储在外存中的数据 C.CPU只能直接访问存储在内存中的数据,不能直接访问存储在外存中的数据 D.CPU既不能直接访问存储在内存中的数据,也不能直接访问存储在外存中的数据
答案
单选题
下列关于存储器的叙述中正确的是()。
A.CPU能直接访问存储在内存的数据,也能直接访问存储在外存中的数据 B.CPU不能直接访问存储在内存的数据,也能直接访问存储在外存中的数据 C.CPU只能访问存储在内存的数据,不能直接访问存储在外存中的数据 D.CPU既不能直接访问存储在内存的数据,也不能直接访问存储在外存中的数据
答案
热门试题
下列关于存储器的叙述中正确的是()。
下列关于存储器的叙述中正确的是()
下列关于存储器的叙述中正确的是()
某DRAM芯片内部的存储单元为128×128结构,该芯片每隔2ms至少刷新一次,且刷新是通过顺序对所有128行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns。求进行刷新操作的时间所占的百分比。×
页面的刷新周期,可选择125ms、250ms、500ms、1000ms、1500ms或2000ms,默认()
DRAM是动态随机存储器的缩写,它以无源元件存放数据,需要周期性地刷新来保持数据。
复帧周期为2ms。
告警信息的刷新周期()
以下存储器中,需要周期性刷新的是( )
下列关于存储器的叙述中正确的有()。
在计算机中,存储器分可刷新存储器和不可刷新存储器两种()
下列关于存储器管理功能的论述中正确的是()。
有一个 lK×l 的 DRAM 芯片,芯片内是 32×32 结构,采用异步刷新方式,如果刷新间隔不超过 2ms,刷新信号的周期是( )。
使用电容存储信息且需要周期性地进行刷新的存储器是()。
( )是使用电容存储信息且需要周期性地进行刷新的存储器。
需要刷新的存储器是()。
下列关于虚拟存储器的描述中 ,正确的是
下列关于CMOS存储器的特点描述正确的是()。
下列关于存储器功能描述中,正确的有().
SRAM存储器是动态随机存储器。()
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