3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=30V，如果将它接在IC=15mA，UCE=20V的电路中，则该管（）
A. 击穿
B. 工作正常
C. 功耗太大过热，甚至烧坏
D. 不确定
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3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=30V，如果将它接在IC=15mA，UCE=20V的电路中，则该管（）
A.击穿 B.工作正常 C.功耗太大过热，甚至烧坏 D.不确定
答案
3DG6D型晶体三极管的PCM＝100mw，ICM＝20mA，UBR（CE0）＝30V，如果将它接在IC＝15mA，UCE＝20V的电路中，则该管()。
A.被击穿 B.工作正常 C.功耗太大过热，甚至烧坏 D.不确定
答案
3DG6D型晶体三极管的PCM＝100mw,ICM＝20mA,UBR（CE0）＝30V,如果将它接在IC＝15mA,UCE＝20V的电路中,则该管（）
A.工作正常 B.被击穿 C.不确定 D.功耗太大过热,甚至烧坏
答案
3AG和3DG系列的晶体三极管为（）晶体三极管
A.低频小功率 B.低频大功率 C.高频小功率 D.高频大功率
答案
3DG6D型晶体三极管的Pcra=100mW，，c。=20mA，u。。。=30V，如果将它接在，c=15mA，u。=20V的电路中，则该管（）
A.被击穿 B.工作正常 C.功率太大，过热甚至烧坏 D.放大倍数下降
答案
三极管3DG6中D指该三极管为PNP型硅材料三极管。
答案
PNP型晶体三极管就是锗半导体三极管。（）
答案
NPN型晶体三极管就是硅半导体三极管。（）
答案
三极管3DG6是（）三极管。
A.PNP型锗 B.NPN型锗 C.PNP型硅 D.NPN型硅
答案
在NPN型晶体三极管
答案
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在NPN型晶体三极管放大电路中，若基极与发射极短路，则晶体三极管()。
在NPN型晶体三极管放大电路中,若基极与发射极短路,则晶体三极管( )。
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小（）
晶体三极管输出特性的3个区域对应于晶体三极管放大、()和截止3种工作状态。
三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。
晶体三极管（）器件。
晶体三极管是
晶体三极管具有（）
晶体三极管发射结反偏置、集电结反偏置,晶体三极管处于工作状态（）
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端是极（）
晶体三极管是（）器件
晶体三极管是()器件。
晶体三极管具有（）特性。
晶体三极管截止的条件是（NPN型）（）。
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在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是PNP型的基极（）
晶体三极管3AX中X表示（）。
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