内电场阻碍多子扩散、帮助少子漂移运动

处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（） N型半导体——（电子为多子,空穴为少子）（） P型半导体——（电子为多子,空穴为少子）（） P型半导体——（电子为少子,空穴为多子）（） N型半导体——（电子为少子,空穴为多子）（） 在达到动态平衡的PN结内，漂移运动和扩散运行不再进行（） 少数载流子在电场力作用下的运动，称漂移运动（） N型半导体中电子是少子，空穴是多子。 PN结稳定以后，扩散运动和漂移运动就完全停止了。（） 判33、在达到动态平衡的PN结内，漂移运动和扩散运行不再进行（） PN结内包括漂移和扩散两种运动 PN结内存在扩散和漂移两种运动（ ） 处于放大状态的晶体管，集电极电流主要是由基区非平衡少子漂移运动形成的 PN结的形成是扩散运动与漂移运动，达到动态平衡的结果（） 场效应管是单极性器件，其工作电流主要是由半导体中的少子漂移运动形成 PN结处于动态平衡时，多致载流子的扩散运动大于少救载流子的漂移运动（） N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） P型半导体的特点是：多子是自由电子，少子是空穴，以自由电子导电为主（） 在NP结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。 PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的