对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（）

由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。 本征半导体是一种没有杂质、没有缺陷的半导体（） N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。 N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。（? ? ? ） P型半导体（Positive）在硅或锗的晶体中掺入少量的价杂质元素，即构成 P 型半导体 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级)，在能带结构中应处于禁带中，但接近满带顶。 杂质半导体有P型半导体和N型半导体，由它们构成PN节，PN节具有（）导电性，可以做成（）器件。 因半导体中掺加的杂质不同，含杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两类（） MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件（） 两种类型的杂质半导体分别是（）型半导体和（）型半导体。 两种类型的杂质半导体分别是（）型半导体和（）型半导体 P型半导体中含有的多数载流子是（） 在纯净的半导体中，掺微量杂质则导电能力会（）在P型半导体和N型半导体之交界处的薄层叫（）。 在纯净的半导体中，掺微量杂质则导电能力会（）在P型半导体和N型半导体之交界处的薄层叫（） P型半导体是电子型半导体。 P型半导体是电子型半导体（） N型半导体与P型半导体都称为本征半导体（） N型半导体与P型半导体都称为本征半导体。（） 可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。（）