霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）

霍尔元件产生的霍尔电压为（）级 霍尔元件产生的霍尔电压为（）级 霍尔压力变送器的测压范围取决于（） 霍尔信号发生器是当霍尔元件时产生霍尔电压（） 霍尔效应中，霍尔电势与() 霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电势变化，产生温度误差（） 减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是( )。 减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是 _______ 霍尔式信号发生器中，当叶片气隙时，霍尔元件产生霍尔电压（） 磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向与原磁场强度相反(θ=180°)时，霍尔电势()，因此霍尔元件可用于测量交变磁场。 以下能对霍尔电势产生影响的有()。 霍尔电势UH与磁感应强度B、控制电流I、霍尔元件灵敏度KH的关系是▁▁ 霍尔信号发生器中的霍尔元件属于（）元件。 霍尔电势与（）成反比 霍尔电势与（ ）成反比 霍尔元件产生的霍尔电压与磁场强度成 （选填正比或反比） 霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比 霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。 霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比（） 当保持霍尔元件的控制电流恒定时，元件的输出正比于磁感应强度，根据这种关系，霍尔元件可用于