在常温下，硅二极管的开启电压约为 V（）

二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 硅二极管门限电压是（）V 硅二极管的门坎电压为（）v 硅材料二极管的死区电压为（）V。 硅材料二极管的死区电压为（）V 硅二极管的导通电压为V（） 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于( )。 当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 二极管真正导通后，硅管的电压约为()V。 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 硅材料二极管的死区电压为0.3V。 当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时.该晶体二极管相当于（） 硅二极管加正向电压（） 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 硅二极管的正向导通电压一般是（）V。