二极管的死区电压就是反向偏置电压（）

要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） 中国大学MOOC: 齐纳二极管、变容二极管和光电二极管一般需要外加反向偏置电压才能正常工作。 当给二极管加正向偏置电压时，二极管截止。() 二极管的最高反向工作电压一定（）二极管的反向击穿电压。 发光二极管要正向偏置,光电二极管要反向偏置: ×。|√; 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 发光二极管正常工作应该加（）偏置电压，光电二极管正常工作时加的是（）偏置电压 硅二极管的死区电压为 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 二极管的反向电压过大会使二极管（）。 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压（） 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。（） 当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时，二极管才能导通（） 二极管所能承受的最大反向电压称为二极管的（）。 二极管所能承受的最大反向电压称为二极管的（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V