霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受（）作用发生（）的结果。

半导体中的载流子（） 霍尔效应的应用测量半导体特性、（） 块材半导体的载流子迁移率和载流子浓度通常可以用霍尔测量的方式直接测量。 霍尔效应实验中采取改变电流和磁场方向的方法（对称交换测量法）进行测量霍尔电压是为了 当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生__,这种现象称为霍尔效应（） 在N型半导体中，多数载流子是 ，在P型半导体中，多数载流子是 。 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。 半导体中的载流子为（）。 半导体中的载流子为（） 半导体中的载流子包括（） 半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为 N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 改变霍尔元件在磁场中的位置，霍尔电压不变（） 本征半导体中没有载流子 N型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______ P型半导体中，自由电子为多数载流子，而N型半导体中，空穴为多数载流子（） 磁场中载流导体不受到力德作用（） 载体导体在磁场中要受到力的作用（） 在N型半导体中（）是多数载流子，（）是少数载流子。 在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。