PN结反向偏置时，处于截至状态，里高电阻，反向电流小（）

三极管处于放大状态时发射结反向偏置，集电结反向偏置（） 三极管处于放大状态时发射结反向偏置，集电结反向偏置（） PN结正向电阻小，反向电阻大（） PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。 （） 在 PN 结的P区加反向电压，N区加正向电压，那么PN 结处于（）偏置 PN结正向偏置时的结电容(? ?)反向偏置时的结电容: 就PN结的结电容大小进行比较，正向偏置时比反向偏置时的结电容()﹔就PN结的结电容对性能影响，正向偏置时比反向偏置时的影响()。 当PN结反向偏置时，耗尽层的厚度______（） 当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。 若BJT发射结正向偏置，集电结反向偏置，则BJT处于（）状态 若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结反向漏电流大，反向击穿电压高。() 当反向偏置电压增至VD的击穿电压时,电流基本不变,二极管PN结被反向击穿 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。 PN结加反向电压时，其反向饱和电流是由（ ） 晶体管工作在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() PN结中的反向电流（） PN结加正向电压时，其正向电阻，正向电流，PN结处于状态 当PN结外加反向电压时，扩散电流()漂移电流。 当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流 当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流（）