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无触点CDI点火系统在可控硅导通后()。
单选题
无触点CDI点火系统在可控硅导通后()。
A. 电容被充电,同时在点火线圈次级感应高压电
B. 电容向点火线圈初级回路放电,并使次级回路感应出高压电
C. 高能电容直接向次级回路放电
D. 电容开始储能
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单选题
无触点CDI点火系统在可控硅导通后()。
A.电容被充电,同时在点火线圈次级感应高压电 B.电容向点火线圈初级回路放电,并使次级回路感应出高压电 C.高能电容直接向次级回路放电 D.电容开始储能
答案
单选题
电容放电式无触点磁电机点火系由()导通可控硅使电容器向点火线圈的初级线圈放电。
A.照明线圈 B.信号线圈 C.触发器 D.电源点火线圈
答案
单选题
单向可控硅可靠导通后,降低控制极电流,可控硅将( )。
A.视阳.阴极电压极性而定 B.关断 C.永远道通 D.仍然导通
答案
主观题
单向可控硅可靠导通后,降低控制极电流,可控硅将()。
答案
单选题
单向可控硅可靠道导通后,降低控制极电流,可控硅将()
A.永远导通 B.仍然导通 C.关断 D.截止
答案
判断题
可控硅导通后,去掉门极电压后还继续导通()
答案
单选题
单向可控硅导通以后,流过可控硅的电流,决定于()
A.外电路的负载 B.可控硅的通态平均电流 C.可控硅A-K间的电压 D.触发电压
答案
单选题
可控硅导通后,控制极控制作用()
A.增强 B.减弱 C.失去 D.不影响
答案
单选题
可控硅导通的条件是()。
A.阳极和阴极间加一定的反向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压 B.阳极和阴极间加一定的正向电压,控制极和阴极间加一定的正向电压 C.阳极和阴极间加一定的正向电压,控制极和阴极间加一定的反向电压 D.阳极和阴极间加一定的反向电压,控制极和阴极间加一定的反向电压
答案
多选题
可控硅导通的条件是()
A.在阳极和阴极间加正向电压 B.在门极和阴极间加正向电压 C.在阳极和阴极间加反向电压 D.在控制极和阴极间加反向电压 E.在阳极和控制极间加正向电压
答案
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晶闸管导通的条件是:可控硅()
要想使可控硅导通,必须在()
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可控硅导通后,要使可控硅由导通转为阻断,须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行,通常取()
可控硅导通后,要使可控硅由导通转为阻断,须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行,通常取()
无触点电容放电式晶体管点火系的组成:一般有直流升压器,可控硅及其触发器、放大器、点火线圈、分电器及火花塞等。
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