单选题

下面关于集中CVD方法描述正确的是()

A. 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点
B. 低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少
C. 做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能u2029与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应,u2029所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中
D. LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜

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单选题
下面关于集中CVD方法描述正确的是()
A.等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点 B.低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少 C.做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能u2029与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应,u2029所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中 D.LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜
答案
主观题
中国大学MOOC: 下面关于几种CVD方法的描述正确的是()。
答案
单选题
关于脑室系统,下面描述正确是( )
A.包括左 B.包括左 C.包括侧脑室;三脑室 D.与蛛网膜下腔不相通 E.位于脑实质内
答案
多选题
下面关于意象艺术描述正确是()
A.艺术家按照自我感觉到的样子来表现世界 B.艺术家的主观能动性在意象艺术中发挥了决定性作用 C.所谓“意象”,是与“实象”相对而言的,即不是艺术家客观描摹现实的再现形象 D.意象艺术是“意”中之象,是由艺术家的感觉、想象和表现意图所呈现
答案
主观题
下面关于创新的描述中正确是()。
答案
单选题
下面关于敏捷模型描述不正确是()
A.与传统型相比,敏捷模型属于自适应过程 B.可以应对需求的不断变化 C.Scrum模型、XP模型、DevOps模型等都属于敏捷模型 D.敏捷模型的预测型和迭代型混合模型
答案
多选题
下面关于洪秀全生平及其成就描述正确是()
A.出身农民家庭 B.太平天国起义运动的领袖 C.原名火秀 D.广东花县人
答案
主观题
下面关于洪秀全生平及其成就描述正确是()。
答案
单选题
下面关于集线器(HuB)的描述,不正确是()
A.是多口中继器 B.有源和智能集线器之分 C.工作在网络层 D.智能集线器支持多种网络协议
答案
单选题
关于CVD涂层,描述是不正确的()
A.CVD表示化学气相沉积 B.CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的 C.CVD涂层具有高耐磨性 D.CVD对高速钢有极强的粘附性
答案
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