因为近场区内处于声压极小值处的较大缺陷回波可能较低，而处于声压极大值处的较小的缺陷回波可能较高， 应尽可能避免在近场区检测。

测定探头的K值或βs应在近场区内进行，因为近场内声压最高点在声束轴线上，测试误差小。 获得较大近场区的方法是 超声场可分为近场区和远场区，波源轴线上最后一个声压极大值的位置至波源的距离称为超声场的近场区长度。 通过什么方法可以得到较大近场区() 超声场近场区内声压分布不均匀、起伏变化是由于波的干涉造成的。 纵波声场存在近场区，横波声场不存在近场区。 紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。 通过什么方法可以得到较大的近场区（）。 可以获得较大近场区的方法是 下列方法中，可以得到较大的近场区是 下列方法中，可以得到较大的近场区是（） 通过下列哪一种方法可以得到较大的近场区（）。 近场区以远的区域称为超声场。 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 JB/T4730.3－2005标准规定，缺陷引起底波降低量划分锻件质量等级的方法不适用于近场区内的缺陷。 近场区声波干涉现象最严重，因此近场区也称（），干涉现象对探伤有很大影响，探伤时要尽量避免。 横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。 超声波频率越高，近场区也就越长。 横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为( )。 由于在远场区超声波束会扩散，所以探伤应尽可能在近场区进行。（）