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在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()
单选题
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()
A. 基区
B. 集电区
C. 发射区
D. 电子区
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单选题
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()
A.基区 B.集电区 C.发射区 D.饱和区
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单选题
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()
A.基区 B.集电区 C.发射区 D.电子区
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主观题
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判断题
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
答案
判断题
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小()
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单选题
晶体三极管输出特性的3个区域对应于晶体三极管放大、()和截止3种工作状态。
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单选题
3AG和3DG系列的晶体三极管为()晶体三极管
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晶体三极管是()器件
晶体三极管是()器件。
晶体三极管()器件。
晶体三极管具有()
晶体三极管发射结反偏置、集电结反偏置,晶体三极管处于工作状态()
在NPN型晶体三极管放大电路中,若基极与发射极短路,则晶体三极管()。
在NPN型晶体三极管放大电路中,若基极与发射极短路,则晶体三极管( )。
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单41、晶体三极管是()
晶体三极管具有()特性。
在晶体三极管放大电路中,晶体三极管的发射结上加上正向电压,集电结加反向电压()
当晶体三极管发射结反偏,集电极反偏时,晶体三极管的工作状态是()。
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常用的晶体三极管极性判断方法是依据三极管的()特性。
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晶体三极管的放大参数是()。
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晶体三极管的放大参数是()。
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