以下哪些为MOS管相关的二阶效应：①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应（）

选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道 场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。 N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。 P沟道结型场效应管的夹断电压Up为 对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在区（） N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。 中国大学MOOC: 结型场效应管初始时存在导电沟道。 P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________ N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成 增强型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体（） P沟道增强型MOS管中，外加电压uGS的极性为（） 何为影响重力二阶效应的主要参数？ 由N沟道和P沟道增强型MOS管并联互补组成CMOS传输门,其控制电压分别加在。（4067）（） CMOS集成电路以增强型P沟道MOS管和增强型N沟道MOS管为基本单元的组件。若串联则互补构成，若并联互补则构成传输门。（4062）（） 下面关于N沟道增强型场效应管的描述中，正确的是 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（） P沟道耗尽型MOS管的外加电压uGS的极性可正可负。()