单选题

全脊髓照射选择电子线照射的适宜能量是

A. 4-6MeV
B. 6-8MeV
C. 8-10MeV
D. 10-12MeV
E. 14-20MeV

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单选题
全脊髓照射选择电子线照射的适宜能量是
A.4-6MeV B.6-8MeV C.8-10MeV D.10-12MeV E.14-20MeV
答案
单选题
全脑全脊髓照射,两个脊髓野(电子线野)的间隙大约为
A.0.3cm B.0.45cm C.0.6cm D.0.8cm E.1cm
答案
单选题
电子线全身照射常用的射线能量是()。
A.2MEV B.4MEV C.6MEV D.8MEV E.10MEV
答案
单选题
全脑全脊髓照射时,头部野与上脊髓野(电子线野)在皮肤表面上的间隙大约为
A.0.3cm B.0.45cm C.0.6cm D.0.8cm E.1cm
答案
单选题
电子线全身皮肤照射时,能量一般为()。
A.2~4MeV B.4~6MeV C.6~8MeV D.8~10MeV E.10~12MeV
答案
单选题
电子线旋转照射与固定野照射比较,错误的是
A.旋转照射时,百分深度剂量提高 B.旋转照射时,最大剂量深度后的剂量梯度变得陡峭 C.旋转照射时,皮肤剂量减少 D.旋转照射时,X射线剂量相对减少 E.二者均以靶区后缘深度作为治疗深度选择能量
答案
单选题
电子线全身皮肤照射不用的是()。
A.双机架多野技术 B.双对称旋转技术 C.固定限光筒分野照射技术 D.模体适型技术 E.转动(固定)电子浴照射技术
答案
单选题
电子线照射时,下列正确的是
A.摆位时靶区平面与限光筒底部平面平行且应远离限光筒底部 B.摆位时靶区平面与限光筒底部平面垂直且应远离限光筒底部 C.摆位时靶区平面与限光筒底部平面平行且应贴近限光筒底部 D.摆位时靶区平面与限光筒底部平面垂直且应贴近限光筒底部 E.设定几个靶区,只有一块铅模与它们相对应
答案
单选题
全身皮肤电子线照射,描述错误的是()
A.可用于蕈样真菌病 B.可用于Sezary综合征 C.选用高能量电子线 D.可合并化疗 E.放疗总剂量30Gy左右
答案
单选题
电子线照射时,有关电子线源点(虚源)的描述,正确的是()
A.是加速器机头内散射箔所在位置 B.是加速器机头内X线靶所在位置 C.是加速器机头内电子线反向投影,束流收拢的空间点 D.是加速器加速管电子束引出口所在位置 E.是电子束中心轴上任意指定的位置
答案
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