IPSP发生时，突触后膜电位的状态是（）
A. 超射
B. 去极化
C. 反极化
D. 复极化
E. 超极化
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IPSP发生时，突触后膜电位的状态是（）
A.超射 B.去极化 C.反极化 D.复极化 E.超极化
答案
兴奋性突触后电位发生时，突触后膜膜电位的特征是
A.超极化 B.去极化 C.反极化 D.复极化 E.超射
答案
突触后膜的膜电位在递质作用下产生去极化改变，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性下降，这种电位变化称为IPSP（）
答案
兴奋性突触后电位（EPSP）和抑制性突触后电位（IPSP）共有的特点是（）
A.突触前膜均去极化 B.突触前膜均超极化 C.突触后膜均去极化 D.突触后膜均超极化
答案
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是
A.突触前末梢递质释放减少 B.突触后膜Ca C.突触后膜Na D.中间神经元受抑制 E.突触后膜发生超极化
答案
关于抑制性突触后电位（IPSP），下列叙述错误的是（）。
A.CI-通道开放可降低IPSP B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D.IPSP使神经元的兴奋性增加 E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
答案
抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起
答案
关于抑制性突触后电位（IPSP）产生的叙述，哪一项是错误的?
答案
突触前抑制可使突触后膜出现IPSP
答案
关于抑制性突触后电位（IPSP）的生产过程的描述，哪一项是错误的？
A.突出前末梢去极化 B.Ca C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D.突触后膜对K E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
答案
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可兴奋细胞处于安静时,其膜电位状态是
兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化为（）
兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为（）。
兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为
兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为（）
兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化，被称作
膜电位的产生是由于（）而形成静息状态下的膜电位差
膜电位的产生是由于()而形成静息状态下的膜电位差。
可兴奋细胞处于安静时，其膜电位的状态是（）
递质作用与突触后膜时使膜电位由静息时的－90毫伏变为－80毫伏，称为（）
兴奋性突触后电位在突触后膜上发生的电位变化为
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的
兴奋性突触后电位(EPSP)是发生在突触后膜上的
IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的（）
兴奋性突触后电位是发生在（）
在突触后膜上发生的兴奋性突触后电位为
IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加
IPSP是由于突触后膜对哪种离子的通透性增加
安静时膜电位处于内负外正的状态，称为（）
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