当三极管的发射结正偏且大于开启电压，集电结反偏时，三极管处于（）状态。

三极管的截止条件：发射结反偏、集电结正偏（） 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 当三极管的发射结和集电结都正偏时，三极管处于状态（） 当三极管的发射结和集电结都反偏时，三极管处于状态（） 三极管共发射极放大电路中，为保证三极管放大状态，发射结反偏，集电结正偏（） 三极管处于截止工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为( )。 当三极管的发射结和集电结都处于正偏时，三极管处于状态 晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为()。 对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（） 对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) 晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，工作在 三极管处于放大工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：()。 若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流诚小时，使该三极管（） 三极管的截止条件：发射结反偏、集电结反偏（） 晶体三极管发射结处于正偏,集电结处于反偏,则三极管的工作状态为（7）（） 三极管放大区的放大条件为发射结正偏，集电结反偏。 三极管工作在饱和区时 ，发射结反偏，集电结正偏。