抑制性突触后电位的产生机制是（）
A. 突触后膜对N+通透性增大
B. 突触后膜对Ca2+、K+通透性增大
C. 突触后膜去极化
D. 突触后膜超极化
E. 突触后膜复极化
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抑制性突触后电位的产生机制是（）
A.突触后膜对N+通透性增大 B.突触后膜对Ca2+、K+通透性增大 C.突触后膜去极化 D.突触后膜超极化 E.突触后膜复极化
答案
简述抑制性突触后电位的产生机制。
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na 内流 B.K 内流 C.Ca 内流 D.Cl 内流 E.K 外流
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
A.Na+内流 B.K+内流 C.Ca2+内流 D.Cl-内流 E.K+外流 F.PO2降低、PCO2升高、pH正常
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na+内流 B.K+内流 C.Ca2+内流 D.Cl-内流 E.K+外流
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na B.K C.Ca D.Cl E.K
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
A.K+外流 B.K+内流 C.CA2+内流 D.Cl-内流 E.NA+内流
答案
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
A.
内流 B.
内流 C.
内流 D.
内流 E.
外流
答案
产生抑制性突触后电位（PSP）的主要机制是（）
A.突触前末梢递质释放减少 B.突触后膜Ca2电导降低 C.突触后膜Na+电导降低 D.由中间神经元受抑制 E.突触后膜发生超极化
答案
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是
A.突触前末梢递质释放减少 B.突触后膜Ca C.突触后膜Na D.中间神经元受抑制 E.突触后膜发生超极化
答案
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