硅太阳能电池是以n型硅半导体作基体，再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的×××型硅半导体构成。
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硅太阳能电池是以n型硅半导体作基体，再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的×××型硅半导体构成。
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下列关于半导体硅太阳能电池的说法正确的是（）
A.太阳能电池利用太阳光照使硅材料燃烧发电 B.太阳光照射到硅材料上会产生激光 C.太阳能电池利用光照使硅材料发生化学反应，产生电荷的移动和电位差 D.太阳能电池利用光的量子特性，使硅材料中的电子发生能级跃迁，产生电位差
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单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池的产量合计约占世界太阳能电池产量的（）。
A.25% B.55% C.80% D.100%
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晶体硅太阳能电池
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太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置，以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流。目前地面光伏系统大量使用的是以硅为基底的硅太阳能电池，可分为单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池。
A.单晶硅光伏电池 B.多晶硅光伏电池 C.铜铟锡光伏电池 D.碲化镉光伏电池
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多晶硅太阳能电池具有稳定的转化效率,其性能价格比比单晶硅太阳能电池高
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多晶硅太阳能电池具有稳定的转化效率，其性能价格比比单晶硅太阳能电池高（）
A.正确 B.错误
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生产太阳能电池的主要原材料是硅，硅属于 材料（选填“导体”或“半导体”）；若将能源分为可再生能源和不可再生能源，则太阳能属于 能源。
答案
用于太阳能电池的半导体材料有（）
A.单品硅 B.多晶硅 C.非晶硅 D.微晶硅
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用于太阳能电池的半导体材料有（）
A.单晶硅 B.多晶硅 C.非晶硅 D.微晶硅
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单晶硅太阳能电池加工包括哪些环节？
多晶硅太阳能电池光电转换效率约（）%左右。
非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）
非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）
非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）
最早用于制造太阳能电池的半导体材料是（）。
非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为eV（）
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非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种（）
化学物半导体，太阳能电池材料的重要特性参数有（）
下列属于化合物半导体太阳能电池的特点有（）
单晶硅太阳能电池的光电转换效率一般为（）%。
{高级工}多晶硅太阳能电池光电转换效率约%左右（）
下列有关体掺杂型太阳能电池说法错误的是？（ ）
化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）。
化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（）
采用化合物半导体材料硫化镉制造的太阳能电池（）
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