多选题

可控硅是在晶体管基础上发展起来的二种三端四层器件,具有和门极(又称控制级)()

A. 阳极
B. 阴极
C. 发射极
D. 集电极

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可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。() 晶体二极管,晶体三极管和可控硅分别有()外PN结 晶闸管在导通状态时,当阳极电压减少到时,晶闸管关断。晶闸管是在晶体管的基础上发展起来的,它有个PN结() 可控硅光耦器件中当发光二极管中通入电流发光时,光照在()上,光控可控硅就导通。 可控硅是由一个四层()的硅半导体器件,通常用符号SCR表示 可控硅光耦器件在可控硅调光中可以起到()作用。 为了避免可控硅整流输出电压失控,在感性负载上并联一正向二级管(二极管正极与可控硅阴极相连)。 为了避免可控硅整流输出电压失控,在感性负载上并联一正向二级管(二极管正极与可控硅阴极相连)() PLC是在( )基础上发展起来的 PLC是在()基础上发展起来的。 为了避免可控硅整流输出电压失控,在感性负载上并联一正向二极管(二极管正极与可控硅阴极相连)() 在棚窖基础上发展起来的是()。 评价中心是在()基础上发展起来的。 配送中心是在()基础上发展起来的 IGBT即绝缘栅双极晶体管,是端器件() 三维地震技术是在()技术的基础上发展起来的。 三维地震技术是在()技术的基础上发展起来的 双向可控硅属于功率半导体器件() 改良快速法是在()基础上发展起来的。 质量管理是在()基础上发展起来的
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