可控硅是在晶体管基础上发展起来的二种三端四层器件，具有和门极（又称控制级）（）

可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。（） 晶体二极管，晶体三极管和可控硅分别有（）外PN结 可控硅光耦器件中当发光二极管中通入电流发光时，光照在（）上，光控可控硅就导通。 晶闸管在导通状态时,当阳极电压减少到时,晶闸管关断。晶闸管是在晶体管的基础上发展起来的，它有个PN结（） 可控硅是由一个四层（）的硅半导体器件，通常用符号SCR表示 可控硅光耦器件在可控硅调光中可以起到（）作用。 为了避免可控硅整流输出电压失控，在感性负载上并联一正向二级管（二极管正极与可控硅阴极相连）。 为了避免可控硅整流输出电压失控，在感性负载上并联一正向二级管（二极管正极与可控硅阴极相连）（） 为了避免可控硅整流输出电压失控，在感性负载上并联一正向二极管（二极管正极与可控硅阴极相连）（） PLC是在（ ）基础上发展起来的 PLC是在()基础上发展起来的。 IGBT即绝缘栅双极晶体管，是端器件（） 双向可控硅属于功率半导体器件（） 在棚窖基础上发展起来的是（）。 评价中心是在()基础上发展起来的。 配送中心是在（）基础上发展起来的 三维地震技术是在（）技术的基础上发展起来的。 三维地震技术是在（）技术的基础上发展起来的 单结晶体管是有一个PN结的三端（）器件。 单结晶体管是有一个PN结的三端（）器件