硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（）

二极管导通时，正向压降为0.7V。 二极管导通时，正向压降为0.7V（） 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V 硅二极管的正向压降为（）,锗二极管的正向压降为（）。 硅二极管导通压降是（）V 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 二极管加正向电压时，二极管导通，其正向电阻很大（） 二极管正向导通后，硅管管压降约为（）,锗管管压降约为（）。 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。 导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的“正向压降”。锗管约为（） 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 硅二极管的正向导通压降约为